AS 66 E添加于薄膜芯層，建議添加量為0.5-3%；使用AS 66 E能提供給薄膜優良的抗靜電特性、極佳的光學性能和優良的印刷性能；

        由于抗靜電劑是由薄膜芯層逐漸遷移至表面發揮作用，遷移速度與薄膜制造及后期加工時的環境溫度相關，因此具體添加量可隨薄膜厚度、季節、抗靜電效果的不同要求而調整。